Por qué las pruebas de banda ancha elevan la especificación del relé
La demanda de 5G, VE, carga, fotovoltaica y tránsito ferroviario está elevando los requisitos de fiabilidad de los semiconductores, y los dispositivos de carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN) se sitúan a tensiones y corrientes más altas que las piezas de silicio a las que sustituyen. Probarlos aplica alta tensión y alta corriente al mismo tiempo, por lo que los relés del equipo de pruebas necesitan alta tensión de conmutación, alta tensión soportada dieléctrica y tolerancia a pulsos de alta corriente a la vez. Construidas sobre cápsulas reed y de mercurio maduras con cribado interno, las series pertinentes cubren los tres requisitos siguientes.
Requisito 1 — resistencia de aislamiento
Un objetivo habitual en las pruebas de semiconductores es una fuga inferior a 0,1 nA entre nodos de alta y baja tensión a 1000 V, lo que exige un aislamiento del relé superior a 10 TΩ. La serie de mercurio HGFR y la serie de reed seco HVFG utilizan procesos controlados de contactos y cuerpo para mantener el aislamiento de contacto a contacto y de contacto a bobina por encima de ese valor.
Requisito 2 — rigidez dieléctrica
Los relés reed secos alcanzan una resistencia de hasta 20 kV y los relés de mercurio de 10 kV o más, lo que deja margen en torno a la tensión de alta tensión aplicada a las piezas de SiC y GaN. La resistencia y la tensión de conmutación continua deben leerse como cifras separadas: la resistencia es un límite de ruptura, no el punto de funcionamiento recomendado.
Requisito 3: vida útil de conmutación al ritmo de producción de la línea
Las líneas de embalaje y prueba funcionan continuamente, por lo que la velocidad y la resistencia de contacto estable son importantes. Los relés reed conmutan en 1,2 ms, admitiendo varios cientos de operaciones por segundo, y los contactos chapados en rodio mantienen la resistencia de contacto estable durante cientos de millones de ciclos en lugar de derivar como se desgasta un contacto simple.
Opciones de mercurio
- MH (8 kV de tensión soportada): alta corriente de carga, conmutación hasta 5 A, resistencia de contacto baja y estable, aislamiento de 1 TΩ y superior.
- HGSR (hasta 4.5 kVDC de tensión soportada): corriente continua de hasta 8.5 A y corriente de pulso de hasta 100 A, baja resistencia de contacto, aislamiento de 10 TΩ y superior.
- HGFR (hasta 3.5 kVDC de tensión soportada): corriente continua hasta 3 A, contactos sellados de larga vida, aislamiento de 10 TΩ y superior.
- HGMR (resistencia hasta 2 kVDC): cuerpo compacto, corriente continua hasta 3 A, aislamiento de 1 TΩ y superior.
Opciones de reed seco
- HVFR: conmutación de hasta 1 kV (2 kV momentánea), 1 A con pulsos de 5/10/20 A, dieléctrico de 3 kV y superior, aislamiento de 10 TΩ y superior, conmutación en 1.2 ms, vida útil superior a mil millones de operaciones.
- HVR: Versiones con resistencia de 4/5/6/10/15/20 kV, conmutación de hasta 10 kVDC, 3 A con pulsos de 5/10/20 A, aislamiento de 10 TΩ y superior, en varios tamaños de contorno.
Cómo hacer coincidir la serie con la prueba
Las pruebas de SiC/GaN tienden a combinar resistencia de decenas de kilovoltios, pulsos de decenas de amperios y fugas sub-nanoamperio en una sola línea ininterrumpida, por lo que ninguna serie cubre todos los canales. Utilice el HVR para las rutas de esfuerzo de mayor tensión, el HVFR para los canales que mezclan conmutación de kilovoltios con corriente de pulso, y los de mercurio MH/HGSR/HGFR/HGMR donde los contactos sin rebote o la mayor corriente de pulso (HGSR hasta 100 A) son los factores decisivos. Seleccionar según la restricción determinante por canal —resistencia, corriente de pulso o fuga— es más fiable que estandarizar una familia en todo el comprobador.
Acerca de SHR AUTOSENSOR
SHR AUTOSENSOR TECH LIMITED (SHR AUTOSENSOR) fabrica relés reed de alta tensión, relés de contactos humedecidos con mercurio y contactores de CC de alta tensión. Contacto: [email protected] | +86 13761571029 | www.reed-relay.com